تزریق توانی که DG به شین متصل به خود انجام می‏دهد، می‏تواند سبب بهبود پایداری ولتاژ شبکه شود. این مسأله در مورد DGهای با ژنراتور سنکرون که توانایی تولید توان راکتیو دارند، بیشتر صدق می‏کند. افزایش پایداری ولتاژ سبب می‏شود سیستم توزیع بتواند شرایط بارپذیری بیشتری را تحمل کند. در این صورت می‏توان سرمایه‏گذاری برای ارتقا و توسعه سیستم قدرت را به تعویق انداخت.

نحوه ارزیابی شاخص پایداری ولتاژ
برای یک سیستم با دو گره شکل ۲-۳ شاخص پایداری ولتاژ استاتیک در شین j ام با رابطه (‏۲‑۱۵) تعیین می‏گردد.
شکل ‏۲‑۳: سیستم آزمایش با دو گره

که در آن:
X: راکتانس شاخه بین شین i و j
R: مقاومت شاخه بین شین i و j
: توان اکتیو در شین دریافتی j
: توان راکتیو در شین دریافتی j
: ولتاژ شین i
شاخص پایداری ولتاژ کل یک سیستم توزیع نمونه از رابطه زیر محاسبه می‏شود.

که در آن:
: تعداد شین‏های سیستم توزیع
: شاخص پایداری ولتاژ در شین n ام
شاخه‏ای که شاخص پایداری ولتاژ آن بیشترین مقدار را دارد، ضعیف‏ترین شاخه محسوب می‏شود. این نکته شایان ذکر است که فروپاشی ولتاژ از ضعیف‏ترین شاخه شروع می‏گردد [۲۶].
جریان اتصال کوتاه
تأثیر تولید پراکنده بر روی جریان اتصال کوتاه
حضور DG در شبکه بر سطح اتصال کوتاه شبکه تأثیر می‏گذارد. میزان این اثرگذاری بستگی به برخی از عوامل، مانند اندازه تولید DG، فاصله DG از محل خطا و نوع DG دارد. جریان خطا با حضور DG در مقایسه با زمانی که DG در شبکه حضور ندارد، افزایش می‏یابد. در حالت حضور تعداد زیادی واحدهای DG کوچک، یا چند واحد بزرگ، سطح اتصال کوتاه به اندازه‏ای بزرگ است که می‏تواند سبب از دست رفتن هماهنگی بین دستگاه‏های حفاظتی مانند فیوزها یا رله‏ها شود. این مسأله می‏تواند قابلیت اطمینان و امنیت سیستم توزیع را تحت تأثیر قرار دهد. شکل ‏۲‑۴ یک فیدر دارای تعدادی DG را نشان می‏دهد. در این مورد ممکن است جریان خطا به اندازه‏ای بزرگ باشد که به هنگام بروز یک خطا، فیوز دیگر با بریکر فیدر هماهنگی نداشته باشد. این مسأله می‏تواند سبب عملکرد غیر ضروری فیوز و کاهش قابلیت اطمینان شاخه فرعی شود [۲۵].
شکل ‏۲‑۴: افزایش جریان خطا به سبب حضور واحدهای DG.
نحوه ارزیابی شاخص جریان اتصال کوتاه
جهت محاسبه شاخص جریان اتصال کوتاه ابتدا جریان‏های اتصال کوتاه در هر شین قبل و بعد از حضور DG تعیین می‏شود و سپس با بهره گرفتن از رابطه زیر این شاخص محاسبه می‏گردد [۱۸].

که در آن:
: جریان اتصال کوتاه قبل از نصب DG
: جریان اتصال کوتاه بعد از نصب DG
در بحث جایابی DG و کلیدهای جداکننده، علاوه بر شاخص‏های معرفی شده، شاخص‏های دیگری نیز وجود دارد. در اینجا سعی شده آن دسته از شاخص‏هایی که کثرت بیشتری در تحقیقات علمی داشته‏اند، مورد بررسی قرار گیرد. در ادامه به بررسی قیودی که در مطالعات مربوط به جایابی DG و کلیدهای جداکننده لحاظ می‏گردد، پرداخته خواهد شد.