برای این کار نمونه­ها را آماده­ی قرار دادن در فسفریک اسید ۸% وزنی می­کنیم. برای جلوگیری از خورده شدن سیم­ها و روکش طلا، آن­ها را با چسب مایع می­پوشانیم. قبل از این کار برای برقراری ارتباط با سطح رسانای طلا یک سیم مسی نازک را با چسب نقره به سطح طلایی چسبانده و پس از آن چسب مایع را مطابق شکل زیر می­زنیم.

شکل (۶-۳۲) نمونه­های تهیه شده جهت اندازه ­گیری مقاومت، که روی آن­ها توسط چسب نقره سیم­های نازک مسی چسبانده شده و سپس با چسب مایع پوشش داده شده ­اند.
پس از آن آلومینیوم ته نمونه­ها را در محلول CuCl₂ حل می­کنیم.
ما در ولتاژ ثابت v5 و دمای حدود c30⁰ یک نمونه را در محلول فسفریک اسید ۸% وزنی قرار داده و جریان آن­را بررسی کردیم. جریان از ابتدا تا انتهای آزمایش در حدود چند میلی آمپر باقی­ماند و متاسفانه همراه با باز شدن حفره­ها نانوسیم­ها حل شده، اما جریان بالا نرفت تا از روی ولتاژ و جریان مقدار مقاومت بدون لایه­ی سدی محاسبه گردد.
در کل انحلال لایه­ی سدی زیر نانوسیم­ها کار قابل کنترلی نبوده و برای فسفریک ۵% و NaoH نیز جوابی مشابه بهمراه دارد.
۶-۷- تخمین مقدار مقاومت تقریبی تک نانوسیم Zn
در این بخش می­خواهیم محاسباتی تقریبی جهت بدست آوردن مقاومت یک تک نانوسیم انجام دهیم. برای این کار محاسبات تجربی انجام گرفته بر روی یک نمونه در بخش ۶-۶-۳ را مد نظر قرار می­دهیم. بعنوان مثال از نمونه­ دوم در جدول ۶-۴ استفاده می­کنیم. از آن­جا که Zn رسانایی خوبی دارد، فرض می­کنیم مقاومت دو سر نمونه قبل از اکسایش بطور تقریبی تنها مربوط به مقاومت لایه­ی سدی در زیر سیم­ها ­باشد که ضخامت آن تا لایه­ی آلومینیوم زیرین مطابق بخش ۴-۱۲ با ولتاژ نهایی آندایز (v12) رابطه­ خطی با ثابت تناسب nm/v3/1 دارد که در نتیجه این ضخامت برابر nm6/15 می­ شود. طبق جدول ۶-۴ مقدار این مقاومت kΩ۱۳۰ می­باشد. حال اگر فرض کنیم مقدار مقاومتی که بعد از اکسایش بدست می ­آید مربوط به مقاومت لایه­ی سدی، بعلاوه­ی افزایش مقاومت آلومینا (لایه­ی سدی) در اثر بازپخت، بعلاوه­ی مقاومت نانوسیم­های اکسید شده موجود در مسیر عبور جریان (آن دسته نانوسیم­هایی که از بالا با سطح طلا اندود در اتصال­اند) باشد، می­توان با کم کردن مقاومت قبل از اکسایش از مقاومت بعد از اکسایش، سهم مقاومت زمینه­ این لایه را حذف نمود. از آنجا که این لایه در زیر سیم­ها ضخامت بسیار کمی دارد، با تقریبی دیگر سهم مقاومت افزایش یافته آلومینا را نیز ناچیز در نظر می­گیریم. در نتیجه با کم کردن مقدار مقاومت بعد از اکسایش (MΩ۵/۲۲) از مقدار مقاومت قبل از اکسایش به مقدار MΩ۳۷/۲۲ برای مقاومت آرایه­ی نانوسیم­های موازی موجود در مدار می­رسیم.
با توجه به ساختار آلومینای متخلخل که از سلول­های شش­گوش با حفره­های استوانه­ای درونش تشکیل یافته می­توان تعداد حفره در واحد سطح را بدست آورد. با توجه به شکل (۶-۳۳) و از آنجا که مساحت شش ضلعی برابر ( )D_int²می­باشد، چگالی تعداد حفره بر واحد سطح n = 1/( )D_int² بدست می ­آید که با توجه به فرمول ۴-۱۲ تناسب قطر سلول (D_c) یا همان فاصله­ی بین سلولی(D_int) با ولتاژ آندایز (D_C = λ_C U) که در آن nm/v5/2= λ_C است و با توجه به ولتاژ آندایز که v130 است داریم nm325= D_int و در نتیجه n برابر می­گردد با (pore/cm²) 10⁷3/77.

شکل (۶-۳۳) طرحی از سطح لانه زنبوری آلومینای آندایز شده
مساحت سطح طلای ما که با قطر ماسک mm1/6 بر سطح نشانده شد، برابر cm²16/1بوده و در نتیجه برای تعداد حفره داریم۱۰^۷۶۶/۸۹ . اما با توجه به اینکه حدود ۵-۱۰% حفره­ها طبق تجربیات قبلی در تصاویر SEM سرریز می­شوند و با